参数	值
产品	未分类
型号编码	STB55NF06L
说明	未分类   D2PAK(TO-263) 10.4x9.35x4.6mm 10.4mm
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	106 [库存更新时间：2024-06-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	55 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	18 m0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-16 V、+16 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	95 W
高度	4.6mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.4 x 9.35 x 4.6mm
宽度	9.35mm
系列	STripFET II
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1700 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	20 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	10.4mm