参数	值
产品	未分类
型号编码	SSM6J215FE(TE85L,F
说明	未分类   SOT-563,SOT-666
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	1
最小包	4000
现货	3670 [库存更新时间：2025-04-05]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	630pF @ 10V
栅极电压Vgs	±8V
功率	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	59 毫欧 @ 3A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	3.4A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10.4nC @ 4.5V