型号参数与资料
- 型号
- SIE808DF-T1-E3
- 品牌
- Vishay(威世)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | TrenchFET® |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 60A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 155nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 8800pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5.2W(Ta),125W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.6mΩ@25A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®(L) |
| 封装/外壳 | PolarPAK-10 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 45A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.6mΩ |
通用MOSFET 10-PolarPAK®(L) PolarPAK-10
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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