参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SSM3K56MFV,L3Fn
说明	通用MOSFET   VESM
起订量	8
最小包	8
现货	411 [库存更新时间：2024-06-04]
FET类型	N-Channel
Pd-功率耗散(Max)	150mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	235 毫欧 @ 800mA,4.5V
Vgs(th)	1V @ 1mA
Vgs(最大值)	±8V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	55 pF @ 10 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	1 nC @ 4.5 V
产品状态	在售
封装/外壳	VESM
工作温度	150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds	20 V
连续漏极电流Id	800mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	1.5V,4.5V