参数	值
产品	未分类
型号编码	SSM3K324R
说明	未分类   SOT-23F 2.9mm 2.9x1.8x0.7mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	106 [库存更新时间：2026-01-21]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	4 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	109 m0hms
栅极电压Vgs	1V
最小栅阈值电压	0.4V
栅极电压Vgs	±12 V
封装/外壳	SOT-23F
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	1W
典型接通延迟时间	9 ns
典型关断延迟时间	9.5 ns
漏源极电压Vds	200 pF @ 10 V
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	1.8mm
长度	2.9mm
高度	0.7mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	2.9 x 1.8 x 0.7mm
最高工作温度	+150 °C