型号参数与资料
- 型号
- SSM3J15FV
- 品牌
- Toshiba(东芝)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | P-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 100 mA |
| 漏源极电压Vds | 30 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 32 0hms |
| 栅极电压Vgs | 1.7V |
| 最小栅阈值电压 | 1.1V |
| 栅极电压Vgs | ±20 V |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| FET类型 | 增强 |
| 功率 | 3/20W |
| 典型接通延迟时间 | 65 ns |
| 典型关断延迟时间 | 175 ns |
| 漏源极电压Vds | 9.1 pF @ 3 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 宽度 | 1.2mm |
| 长度 | 0.8mm |
| 高度 | 0.50mm |
| 封装/外壳 | 0.8 x 1.2 x 0.5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
未分类 SOT-723 0.8mm 0.8x1.2x0.5mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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