SSM3K333R

Toshiba(东芝) · 未分类

型号参数与资料

型号
SSM3K333R
品牌
Toshiba(东芝)
类别
未分类
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id6 A
漏源极电压Vds30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs42 m0hms
栅极电压Vgs2.5V
最小栅阈值电压1.3V
栅极电压Vgs±20 V
封装/外壳SOT-23F
晶体管配置单
引脚数目3
FET类型增强
功率2W
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1 Ohms
长度2.9mm
高度0.80mm
宽度1.8mm
漏源极电压Vds436 pF @ 0 V
典型关断延迟时间9 ns
典型接通延迟时间12 ns
封装/外壳2.9 x 1.8 x 0.8mm

未分类   SOT-23F 2.9mm 2.9x1.8x0.8mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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