| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SQD19P06-60L_T4GE3 |
| 说明 | 通用MOSFET TO-252-3 |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 396 [库存更新时间：2025-04-07] |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) |
| FET类型 | P-Channel |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 55 mOhms @ 19A,10V |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 46W(Tc) |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 工作温度 | -55℃~175℃ |
| 漏源极电压Vds | 60V |
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