参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPA02N80C3
说明	功率MOSFET   PG-TO220-3
起订量	500
最小包	500
现货	1437 [库存更新时间：2024-05-06]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	290pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	30.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.7Ω@1.2A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	2A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 120µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	16nC @ 10V