参数	值
产品	未分类
型号编码	SMDA15CDR2G
说明	未分类   8-SOIC SOIC-8 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
起订量	2
最小包	2
现货	480 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	齐纳
双向通道	4
反向对峙电压VRWM	15V(最大)
箝位电压VCL(max)	30V
峰值脉冲电流Ipp	10A(8/20µs)
电源线路保护	无
不同频率时的电容	75pF @ 1MHz
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC
封装/外壳	SOIC-8
反向工作电压VRWM	15V
结电容Cj	75pF
最大峰值脉冲功率Ppp	300W
反向漏电流IR	1uA
反向击穿电压（最小值）VBR_Min	16.7V
功率 - 峰值脉冲	300W
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
反向对峙电压VRWM	15V(最大)
击穿电压VBR(min)	16.7V
箝位电压VCL(max)	30V
峰值脉冲电流Ipp	10A(8/20µs)