| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SI4900DY-T1-E3n |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 397 [库存更新时间：2025-04-20] |
| 连续漏极电流Id | 5.3A |
| FET类型 | 2N-Channel |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58 mOhms @ 4.3A,10V |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 60V |
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