参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4463CDY-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 396 [库存更新时间:2025-04-23] |
连续漏极电流Id | 13.6A(Ta),49A(Tc) |
FET类型 | P-Channel |
Vgs(最大值) | ±12V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8 mOhms @ 13A,10V |
Vgs(th) | 1.4V @ 250uA |
Pd-功率耗散(Max) | 2.7W(Ta),5W(Tc) |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 20V |