参数	值
产品	未分类
型号编码	SBCP56T1G
说明	未分类   SOT-223-3 SOT-223
起订量	1
最小包	1
现货	396 [库存更新时间：2024-04-28]
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 50mA,500mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 150mA,2V
功率	1.5W
频率-跃迁	130MHz
工作温度	-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-223-3
封装/外壳	SOT-223
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	1A
集电极_发射极击穿电压VCEO	80V