| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | PSMN1R4-40YLDX |
| 说明 | 功率MOSFET SOT669 |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 475 [库存更新时间：2025-04-08] |
| 封装/外壳 | SOT669 |
| FET类型 | N-Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 1.4mΩ@25A,10V |
| Pd-功率耗散(Max) | 238W |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 漏源极电压Vds | 40V |
| 输入电容 | 6661pF |
| 输出电容 | 1543pF |
| 连续漏极电流Id | 240A |
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