参数	值
产品	未分类
型号编码	NVMFS5826NLT1G
说明	未分类   8-PowerTDFN SO-FL
起订量	1
最小包	1
现货	478 [库存更新时间：2024-04-19]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	850pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
功率	3.6W(Ta),39W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	24 毫欧 @ 10A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerTDFN
封装/外壳	SO-FL
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	8A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	850pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	24 毫欧 @ 10A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	8A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 10V