参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | NVMFD5853NT1G |
说明 | 通用MOSFET 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称) DFN |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 478 [库存更新时间:2025-04-06] |
FET类型 | 2N-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 10mΩ@15A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1225pF @ 25V |
Pd-功率耗散(Max) | 3.1W |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称) |
封装/外壳 | DFN |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 40V |
连续漏极电流Id | 12A |