参数	值
产品	未分类
型号编码	NTMD6N02R2G
说明	未分类   8-SOIC SOIC
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5131 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
连续漏极电流Id	3.92A
Rds On(Max)@Id,Vgs	35 毫欧 @ 6A,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 16V
功率	0.73W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC
封装/外壳	SOIC
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	6.5A