参数	值
产品	未分类
型号编码	NTHD3100CT1G
说明	未分类   ChipFET™ Chip ChipFET-8
品牌	ON(安森美)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6627 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N+P-Channel
FET类型	逻辑电平门
连续漏极电流Id	2.9A,3.2A
Rds On(Max)@Id,Vgs	80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	165pF @ 10V
功率	1.1W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	ChipFET™
封装/外壳	Chip
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	2.9A/3.2A
封装/外壳	ChipFET-8
下降时间	10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	6 S, 8 S
最小工作温度	- 55 C
功率	1.1W
典型关闭延迟时间	9.6 ns at N Channel, 16 ns at P Channel
FET类型	N and P-Channel
漏源极电压Vds	20 V, - 20 V
漏源极电压Vds	± 12 V, ± 8 V
连续漏极电流Id	3.9 A, - 4.4 A
Rds On(Max)@Id,Vgs	58 m0hms, 64 m0hms
配置	Dual Dual Drain
最大工作温度	+ 150 C