参数	值
产品	未分类
型号编码	NTD4809NT4G
说明	未分类   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 DPAK
品牌	ON(安森美)
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现货	906 [库存更新时间：2025-04-04]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	25nC @ 11.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1456pF @ 12V
栅极电压Vgs	±20V
功率	1.4W(Ta),52W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	9.6A(Ta),58A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,11.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
漏源极电压Vds	30V
封装/外壳	DPAK
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	11.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	12V