参数	值
产品	未分类
型号编码	NSV40301MDR2G
说明	未分类   8-SOIC SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
起订量	2
最小包	2
现货	479 [库存更新时间：2024-04-25]
FET类型	2 NPN(双)
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	115mV @ 200mA,2A
电流-集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	180 @ 2A,2V
频率-跃迁	100MHz
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC
封装/外壳	SOIC
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	3A
集电极_发射极击穿电压VCEO	40V
频率 - 跃迁	100MHz
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	3A
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	115mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	180 @ 2A,2V