| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | NCP5901BDR2G |
| 说明 | 未分类 8-SOIC |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 479 [库存更新时间：2025-04-14] |
| 驱动配置 | 半桥 |
| FET类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 13.2 V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.7V,3.4V |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 35V |
| 上升/下降时间（典型值） | 16ns,11ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
IC普拉斯 元器件现货