参数	值
产品	未分类
型号编码	NCP5109BDR2G
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC
起订量	2
最小包	2
现货	479 [库存更新时间：2024-05-18]
驱动配置	半桥
FET类型	独立式
驱动器数	2
栅极类型	IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源	10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH	0.8V,2.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）	250mA,500mA
输入类型	非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）	200V
上升/下降时间（典型值）	85ns,35ns
工作温度	-40°C ~ 125°C (TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	8-SOIC