参数	值
产品	未分类
型号编码	MMSF3P02HDR2G
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5993 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	5.6A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	46nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1400pF @ 16V
栅极电压Vgs	±20V
功率	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	75 毫欧 @ 3A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SOIC
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	5.6A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1400pF @ 16V
Rds On(Max)@Id,Vgs	75 毫欧 @ 3A,10V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	5.6A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA