参数	值
产品	未分类
型号编码	MMIX1F160N30T
说明	未分类   SMPD 25.25mm 25.25x23.25x5.7mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	860 [库存更新时间：2025-04-22]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	100 A
漏源极电压Vds	300 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	20 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	SMPD
引脚数目	24
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	570 W
宽度	23.25mm
典型接通延迟时间	34 ns
典型关断延迟时间	90 ns
漏源极电压Vds	24500 pF@ 25 V
晶体管材料	Si
系列	GigaMOS, HiperFET
最低工作温度	-55 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	25.25mm
高度	5.7mm
正向跨导	150S
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	25.25 x 23.25 x 5.7mm
最高工作温度	+150 °C