参数	值
产品	未分类
型号编码	MMBFJ177LT1G
说明	未分类   SOT-23-3(TO-236)
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	852 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	P-Channel
电压-击穿（V（BR）GSS）	30V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）	1.5mA @ 15V
不同Id时的电压-截止（VGS关）	800mV @ 10nA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	11pF @ 10V(VGS)
电阻-RDS（开）	300 欧姆
功率	0.225W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3(TO-236)
栅极电压Vgs	30 V
标准包装数量	3000
系列	MMBFJ177L
配置	Single
Vgs=0 时的漏极-源极电流	1.5 mA to 20 mA
FET类型	P-Channel