| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | MJ11032Gp |
| 说明 | 未分类 TO-3 TO-204 |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 397 [库存更新时间：2024-05-05] |
| FET类型 | NPN - 达林顿 |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3.5V @ 500mA,50A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 2mA |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 1000 @ 25A,5V |
| 功率 | 300W |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-3 |
| 封装/外壳 | TO-204 |
| FET类型 | NPN |
| 集电极最大允许电流Ic | 50A |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 120V |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsMJ11032Gp
产品概述
相关产品