参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | LP8615DT1AG-HW |
说明 | 通用MOSFET DFN3030-8B |
起订量 | 420 |
最小包 | 3 |
现货 | 880 [库存更新时间:2025-04-05] |
封装/外壳 | DFN3030-8B |
FET类型 | P-Channel |
工作温度 | -55°C~150°C |
栅极电压Vgs | ±20V |
漏源极电压Vds | -60V |
连续漏极电流Id | -7A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@-3.2A,-4.5V |
Pd-功率耗散(Max) | 2.9W |
参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | LP8615DT1AG-HW |
说明 | 通用MOSFET DFN3030-8B |
起订量 | 420 |
最小包 | 3 |
现货 | 880 [库存更新时间:2025-04-05] |
封装/外壳 | DFN3030-8B |
FET类型 | P-Channel |
工作温度 | -55°C~150°C |
栅极电压Vgs | ±20V |
漏源极电压Vds | -60V |
连续漏极电流Id | -7A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@-3.2A,-4.5V |
Pd-功率耗散(Max) | 2.9W |