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    LND150N8-G

    产品:通用MOSFET

    库存:419 Pcs [库存更新时间:2024-04-25]

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    产品概述
    参数
    产品通用MOSFET
    型号编码LND150N8-G
    说明通用MOSFET   TO-243AA SOT-89
    起订量2
    最小包2
    现货419 [库存更新时间:2024-04-25]
    连续漏极电流Id30mA(Tj)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)0V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)10pF @ 25V
    栅极电压Vgs±20V
    FET类型耗尽模式
    Pd-功率耗散(Max)1.6W(Ta)
    Rds On(Max)@Id,Vgs1000 Ohms@500µA,0V
    工作温度-55°C~150°C(TJ)
    封装/外壳TO-243AA
    封装/外壳SOT-89
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds500V
    连续漏极电流Id0.03A

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