| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | JAN1N6462 |
| 说明 | 未分类 B,轴向 轴向 |
| 品牌 | Microsemi(美高森美) |
| 起订量 | 100 |
| 最小包 | 100 |
| 现货 | 485 [库存更新时间：2024-05-31] |
| FET类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 1 Ohms |
| 反向对峙电压VRWM | 6V |
| 击穿电压VBR(min) | 6.5V |
| 箝位电压VCL(max) | 11V |
| 峰值脉冲电流Ipp | 258A(8/20µs) |
| 功率 - 峰值脉冲 | 500W |
| 电源线路保护 | 无 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | B,轴向 |
| 封装/外壳 | 轴向 |
IC普拉斯 元器件现货