参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTH12N100L
说明	未分类   TO-247 16.26mm 16.26x5.3x21.46mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	645 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	12 A
漏源极电压Vds	1000 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.3 0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	400000 mW
典型接通延迟时间	30 ns
典型关断延迟时间	110 ns
漏源极电压Vds	2500 pF@ 25 V
晶体管材料	Si
系列	Linear
宽度	5.3mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	16.26mm
高度	21.46mm
封装/外壳	16.26 x 5.3 x 21.46mm
每片芯片元件数目	1 Ohms