参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTA3N50D2
说明	未分类   TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB
品牌	IXSY
起订量	1
最小包	1
现货	1352 [库存更新时间：2025-04-03]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	40nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1070pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
FET类型	耗尽模式
功率	125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5 欧姆 @ 1.5A,0V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	3A(Tc)