参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFX66N85X
说明	未分类   PLUS247 16.13mm 16.13x5.21x21.34mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	638 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	66 A
漏源极电压Vds	850 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	65mΩs
栅极电压Vgs	5.5V
最小栅阈值电压	3.5V
栅极电压Vgs	±30 V
封装/外壳	PLUS247
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1250W
典型接通延迟时间	40 ns
典型关断延迟时间	105 ns
漏源极电压Vds	8900 pF @ 25 V
系列	HiperFET
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	5.21mm
长度	16.13mm
高度	21.34mm
正向跨导	42S
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	16.13 x 5.21 x 21.34mm
最高工作温度	+150 °C