参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | IXFN27N80Q |
说明 | 未分类 SOT-227B-4 |
品牌 | IXSY |
起订量 | 10 |
最小包 | 10 |
现货 | 196 [库存更新时间:2025-04-07] |
封装/外壳 | SOT-227B-4 |
系列 | IXFN27N80 |
FET类型 | Enhancement |
下降时间 | 13 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 28 ns |
标准包装数量 | 10 |
FET类型 | N-Channel |
标准断开延迟时间 | 50 ns |
漏源极电压Vds | 800 V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | 27 A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 320 m0hms |
配置 | Single Dual Source |
最高工作温度 | + 150 C |
520 W | Pd - 功率消耗 |