| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | IXFN27N80Q |
| 说明 | 未分类 SOT-227B-4 |
| 品牌 | IXSY |
| 起订量 | 10 |
| 最小包 | 10 |
| 现货 | 196 [库存更新时间:2026-07-27] |
| 封装/外壳 | SOT-227B-4 |
| 系列 | IXFN27N80 |
| FET类型 | Enhancement |
| 下降时间 | 13 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 28 ns |
| 标准包装数量 | 10 |
| FET类型 | N-Channel |
| 标准断开延迟时间 | 50 ns |
| 漏源极电压Vds | 800 V |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 连续漏极电流Id | 27 A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 320 m0hms |
| 配置 | Single Dual Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 520 W | Pd - 功率消耗 |


