参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFK120N30P3
说明	未分类   TO-264 19.96mm 19.96x5.13x26.16mm
品牌	IXYS
起订量	1
最小包	1
现货	270 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	120 A
漏源极电压Vds	300 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	27 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-264
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1.13 kW
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	19.96mm
高度	26.16mm
系列	HiperFET, Polar3
宽度	5.13mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	8630 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	60 ns
典型接通延迟时间	26 ns
封装/外壳	19.96 x 5.13 x 26.16mm