参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLR8103VTRPBF
说明	功率MOSFET   D-Pak
起订量	2
最小包	2
现货	414 [库存更新时间：2024-04-22]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	27nC @ 5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2672pF @ 16V
Pd-功率耗散(Max)	115W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	27nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2672pF @ 16V
Rds On(Max)@Id,Vgs	9mΩ@15A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	91A
封装/外壳	D-Pak