参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFS4229TRLPBF
说明	功率MOSFET   D²PAK(TO-263AB)
起订量	800
最小包	800
现货	2010 [库存更新时间：2024-10-22]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	110nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4560pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	330W(Tc)
工作温度	-40°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	110nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4560pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	48mΩ@26A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	250V
连续漏极电流Id	45A
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)