| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | IRF7106 |
| 说明 | 未分类 8-SOIC 8-SO |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 449 [库存更新时间:2026-08-11] |
| FET类型 | N+P-Channel |
| FET类型 | 标准 |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 3A,2.5A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 125 毫欧 @ 1A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 300pF @ 15V |
| 功率 | 2W |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SO |


