| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | EPC2106 |
| 说明 | 未分类 模具 模具 |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 460 [库存更新时间:2025-12-22] |
| FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
| FET类型 | GaNFET(氮化镓) |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 1.7A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70 毫欧 @ 2A,5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.73nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 75pF @ 50V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 封装/外壳 | 模具 |


