参数	值
产品	未分类
型号编码	EPC2106ENGRT
说明	未分类   模具 模具
起订量	2
最小包	2
现货	460 [库存更新时间：2024-04-19]
FET类型	2 个 N 通道(半桥)
FET类型	GaNFET(氮化镓)
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	1.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	70 毫欧 @ 2A,5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.73nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	75pF @ 50V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	模具
封装/外壳	模具