参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF6643TR1PBF
说明	未分类   DIRECTFET™MZ DirectFET™等容MZ
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2025-04-16]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	150V
连续漏极电流Id	6.2A(Ta),35A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.9V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	55nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2340pF @ 25V
功率	2.8W(Ta),89W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	34.5 毫欧 @ 7.6A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	DIRECTFET™ MZ
封装/外壳	DirectFET™ 等容 MZ
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V