参数 | 值 |
---|---|
产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRF5210STRLPBF |
说明 | 功率MOSFET TO-263-3 |
起订量 | 800 |
最小包 | 800 |
现货 | 2009 [库存更新时间:2025-04-13] |
封装/外壳 | TO-263-3 |
FET类型 | P-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@38A,10V |
Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta) |
工作温度 | -55°C~150°C |
栅极电压Vgs | ±20V |
漏源极电压Vds | 100V |
连续漏极电流Id | 38A |
参数 | 值 |
---|---|
产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRF5210STRLPBF |
说明 | 功率MOSFET TO-263-3 |
起订量 | 800 |
最小包 | 800 |
现货 | 2009 [库存更新时间:2025-04-13] |
封装/外壳 | TO-263-3 |
FET类型 | P-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@38A,10V |
Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta) |
工作温度 | -55°C~150°C |
栅极电压Vgs | ±20V |
漏源极电压Vds | 100V |
连续漏极电流Id | 38A |