参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF3610STRLPBF
说明	功率MOSFET   10.67mm
起订量	800
最小包	800
现货	2009 [库存更新时间：2024-05-24]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5380pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	103A
Rds On(Max)@Id,Vgs	11.6mΩ
最小栅阈值电压	2V
引脚数目	3
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	333W
正向跨导	110S
正向二极管电压	1.3V
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	9.65mm
系列	HEXFET
典型关断延迟时间	77 ns
典型接通延迟时间	15 ns
高度	4.83mm
长度	10.67mm