参数	值
产品	未分类
型号编码	IPP057N06N3GHKSA1
说明	未分类   TO-220 10.36x4.57x15.95mm 10.36mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	637 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.7 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	115 W
高度	15.95mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.36 x 4.57 x 15.95mm
宽度	4.57mm
系列	OptiMOS 3
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	5000 pF @ 30 V
典型关断延迟时间	32 ns
典型接通延迟时间	24 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	10.36mm