参数	值
产品	IGBT模块
型号编码	FS45MR12W1M1B11BOMA1
说明	IGBT模块   模块
起订量	24
最小包	24
现货	455 [库存更新时间：2025-04-04]
25°C时电流-连续漏极(Id)	25A(Tj)
FET功能	碳化硅(SiC)
FET类型	6 N-沟道(3 相桥)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	45 毫欧 @ 25A,15V(标准)
不同Id时Vgs(th)(最大值)	5.55V @ 10mA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	1840pF @ 800V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	62nC @ 15V
功率-最大值	20mW(Tc)
封装/外壳	模块
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)	1200V