参数	值
产品	未分类
型号编码	FQT1N80TF_WS
说明	未分类   SOT-223 6.7x3.7x1.7mm 6.7mm
品牌	Fairchild Semiconductor
起订量	0
最小包	0
现货	523 [库存更新时间：2025-04-19]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	200 mA
漏源极电压Vds	800 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	20 0hms
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	SOT-223
引脚数目	3+Tab
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	2.1W
高度	1.7mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.7 x 3.7 x 1.7mm
宽度	3.7mm
系列	QFET
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	150 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	15 ns
典型接通延迟时间	10 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	6.7mm