参数	值
产品	未分类
型号编码	FDN352AP
说明	未分类   SOT-23 2.92x1.4x0.94mm 2.92mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	538 [库存更新时间：2025-12-23]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	1.3 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	180 m0hms
最小栅阈值电压	0.8V
栅极电压Vgs	-25 V、+25 V
封装/外壳	SOT-23
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1/2W
系列	PowerTrench
高度	0.94mm
封装/外壳	2.92 x 1.4 x 0.94mm
宽度	1.4mm
最低工作温度	-55 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	150 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	4 ns
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+150 °C
长度	2.92mm