参数	值
产品	未分类
型号编码	FDG6316P
说明	未分类   SOT-363(SC-70) 2.00mm 2x1.25x1mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	536 [库存更新时间：2025-12-08]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	700 mA
漏源极电压Vds	12 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	650 m0hms
最小栅阈值电压	0.4V
栅极电压Vgs	-8 V、+8 V
封装/外壳	SOT-363 (SC-70)
晶体管配置	隔离式
引脚数目	6
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	3/10W
长度	2.00mm
封装/外壳	2 x 1.25 x 1mm
每片芯片元件数目	2
系列	PowerTrench
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	146 pF @ -6 V
典型关断延迟时间	8 ns
典型接通延迟时间	5 ns
宽度	1.25mm
最低工作温度	-55 °C
高度	1mm
最高工作温度	+150 °C