参数	值
产品	未分类
型号编码	FDFS2P103
说明	未分类   8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5112 [库存更新时间：2025-12-16]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	5.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8nC @ 5V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	528pF @ 15V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	900mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	59 毫欧 @ 5.3A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V