参数	值
产品	未分类
型号编码	FDFMA2P859T
说明	未分类   MicroFET2x2薄型 6-UDFN裸露焊盘
品牌	ON(安森美)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6693 [库存更新时间：2025-12-11]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	435pF @ 10V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	1.4W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	120 毫欧 @ 3A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	MicroFET 2x2 薄型
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘