参数	值
产品	未分类
型号编码	FCB199N65S3
说明	未分类   D²PAK(TO-263) TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB
品牌	ON(安森美)
起订量	800
最小包	800
现货	1955 [库存更新时间：2024-05-06]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	14A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1.4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1225pF @ 400V
功率	98W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	199 毫欧 @ 7A, 10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK(TO-263)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB